[電子書]碳化硅技術基本原理–生長、表征、器件和應用

本書是一本有關碳化硅材料、器件工藝、器件和應用方面的書籍，其主題包括碳化硅的物理特性、晶體和外延生長、電學和光學性能的表征、擴展缺陷和點缺陷，器件工藝、功率整流器和開關器件的設計理念，單／雙極型器件的物理和特征、擊穿現象、高頻和高溫器件，以及碳化硅器件的系統應用，涵蓋了基本概念和新發展現狀，並針對每個主題做深入的闡釋，包括基本的物理特性、新的理解、尚未解決的問題和未來的挑戰。

作者：木本恆暢（Tsunenobu Kimoto），是京都大學電子科學與工程系的一名教授，長期從事碳化硅材料、表征、器件工藝以及功率器件等方面的研究，是日本碳化硅界的領軍人物，在碳化硅的外延生長、光學和電學特性表征、缺陷電子學、離子注入、金屬－氧化物－半導體（MOS）物理和高電壓器件等方面均有建樹。

作者:（美）James A.Cooper，美國普渡大學電氣與計算機工程學院的則是一位半導體界的元老級人物，他在MOS器件、IC及包括硅和碳化硅在內的功率器件方面都有研究和建樹，特別是碳化硅基UMOSFET、肖特基二極管、UMOSFET、橫向DMOSFET、BJT和IGBT等的開發做出了突出貢獻。